“干”蝕刻用于電路定義步驟，而“濕”蝕刻主要用于清潔晶片；干法蝕刻是半導(dǎo)體制造中^常用的工藝之一，在開始蝕刻之前，在光刻期間用光致抗蝕劑或硬掩模（通常為氧化物或氮化物）涂覆晶片并暴露于電路圖案。蝕刻僅從圖案痕跡中去除材料。在芯片制造過程中，該圖案化和蝕刻的順序被重復(fù)多次。
  
  蝕刻工藝被稱為導(dǎo)體蝕刻，電介質(zhì)蝕刻或多晶硅蝕刻，以指示從晶片移除的膜的類型。例如，當(dāng)氧化層被蝕刻以留下“氧化物隔離器”將器件彼此分開時，涉及電介質(zhì)蝕刻；多晶硅蝕刻用于在晶體管中形成柵極；采用電介質(zhì)蝕刻來蝕刻用于金屬導(dǎo)電路徑的通孔和溝槽；并且金屬蝕刻去除鋁，鎢或銅層以在裝置結(jié)構(gòu)的逐漸升高的水平上顯示電路圖案。
  
  通過將電磁能通常為射頻（RF）施加到含有化學(xué)反應(yīng)性元素（例如氟或氯）的氣體來執(zhí)行等離子體蝕刻。等離子體釋放轟擊晶片的正電荷離子，以去除（蝕刻）材料和與蝕刻材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性副產(chǎn)物的化學(xué)反應(yīng)性自由基。離子的電荷將它們垂直指向晶片。這產(chǎn)生了幾乎垂直的蝕刻輪廓，這對于當(dāng)今密集封裝芯片設(shè)計中的微小特征是必不可少的。